हेटेरोजंक्शन (HJT) सोलर सेल

हेटेरोजंक्शन तकनीक सिलिकॉन के दो अलग रूपों को जोड़ती है। क्रिस्टलीय n-टाइप वेफर के दोनों ओर पहले कुछ नैनोमीटर इंट्रिंसिक हाइड्रोजनेटेड अमॉर्फस सिलिकॉन (पैसिवेशन के लिए) चढ़ाया जाता है, फिर डोप की हुई अमॉर्फस सिलिकॉन परतें, जो जंक्शन और बैक-सरफेस फील्ड बनाती हैं, और सबसे ऊपर पारदर्शी कंडक्टिव ऑक्साइड। Sanyo ने 1990 के दशक में इस अवधारणा को HIT नाम से बाजार में उतारा; बाद में पेटेंट Panasonic के पास चले गए।

अमॉर्फस परतें सतहों को लगभग पूरी तरह पैसिवेट कर देती हैं, जिससे ओपन-सर्किट वोल्टेज 740–750 mV तक पहुंचता है, जो मुख्यधारा के सिलिकॉन सेलों में सबसे ज्यादा है। प्रक्रिया में सिर्फ चार मुख्य चरण हैं और तापमान लगभग 200–250 °C से नीचे रहता है, जो पतले वेफर के लिए ठीक है।

• बड़े पैमाने के उत्पादन में सेल दक्षता: लगभग 25–26.5%।
• तापमान गुणांक: लगभग −0.24 से −0.26 %/°C, जो गर्म जलवायु में फायदा देता है (देखें तापमान गुणांक)।
• बाइफेशियलिटी: सममित संरचना की वजह से 85–95%।
• कम डिग्रेडेशन, जिसकी वारंटी अक्सर 0.25–0.4% प्रति वर्ष होती है।

लागत की मुख्य दिक्कत कम तापमान वाला सिल्वर पेस्ट और कंडक्टिव ऑक्साइड में इंडियम है; इसे घटाने के लिए कॉपर प्लेटिंग और सिल्वर-कोटेड कॉपर अपनाए जा रहे हैं। पेरोव्स्काइट-सिलिकॉन टैंडम सेलों में नीचे के सेल के लिए भी HJT ही पसंदीदा विकल्प है।