术语表 · 光伏
异质结（HJT）电池
把 n 型晶硅片夹在超薄非晶硅层之间的电池，电压很高，温度系数低。
异质结技术把两种不同形态的硅结合在一起。n 型晶硅片两面先镀几纳米厚的本征氢化非晶硅（起钝化作用），再镀掺杂非晶硅层，形成结区和背场，最外层是透明导电氧化物。Sanyo 在 1990 年代以 HIT 之名把这一概念商业化，专利后来转到 Panasonic 手中。
非晶硅层对表面的钝化近乎完美，开路电压可达 740–750 mV，在主流硅电池中最高。工艺只有四道主要工序，温度始终低于约 200–250 °C，适合薄硅片。
- 量产电池效率：约 25–26.5%。
- 温度系数：约 −0.24 至 −0.26 %/°C，在炎热地区是优势（见温度系数）。
- 双面率：结构对称，可达 85–95%。
- 衰减低，质保常为每年 0.25–0.4%。
主要成本劣势在低温银浆和导电氧化物中的铟；为降低成本，行业正在导入电镀铜和银包铜。HJT 也是钙钛矿–硅叠层电池首选的底电池。
相关术语
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隧穿氧化层钝化接触：背面采用超薄氧化层和掺杂多晶硅层导出电流、复合极少的 n 型硅电池。
- PERC（钝化发射极和背面电池）
在硅电池背面增加钝化介质层的设计，减少复合，并把光反射回电池内部。
- 钙钛矿太阳能电池
以具有钙钛矿晶体结构的金属卤化物为吸收层的太阳能电池，带隙可调、工艺便宜，效率提升极快。
- 温度系数
电池温度偏离 25 °C 每一摄氏度时，光伏组件功率、电压或电流变化的百分比。
- 双面组件
正反两面都能收集光的光伏组件，采用透明背板或玻璃，吸收地面反射光和散射光。