术语表 · 光伏
TOPCon
隧穿氧化层钝化接触：背面采用超薄氧化层和掺杂多晶硅层导出电流、复合极少的 n 型硅电池。
TOPCon 由 Fraunhofer ISE 于 2013 年提出。n 型硅片背面先覆盖一层约 1.5 nm 厚的二氧化硅，薄到载流子可以隧穿，上面再覆盖一层重掺杂多晶硅。这种钝化接触让多数载流子通过、阻挡少数载流子，减少了金属接触处的复合，而这种复合正是 PERC 的效率瓶颈。
TOPCon 工艺是在 PERC 产线上升级（增加 LPCVD 或 PECVD 沉积和硼扩散），厂商能很快完成产能改造。2024 年 TOPCon 成为市场份额最大的电池技术（ITRPV 2025 版），主要靠中国厂商推动。
- 量产电池效率：约 24.5–26%；组件 22–23.5%。
- 双面率：75–85%，很适合双面地面电站。
- 温度系数：约 −0.29 至 −0.32 %/°C。
- n 型硅片没有硼氧光致衰减；首年衰减一般约 1%。
尚待解决的问题有：银耗比 PERC 高，部分组件设计在湿热测试中容易因受潮出现接触腐蚀。n 型领域的竞争对手是异质结和背接触电池。
相关术语
全部术语 →- PERC（钝化发射极和背面电池）
在硅电池背面增加钝化介质层的设计，减少复合，并把光反射回电池内部。
- 异质结（HJT）电池
把 n 型晶硅片夹在超薄非晶硅层之间的电池，电压很高，温度系数低。
- 双面组件
正反两面都能收集光的光伏组件，采用透明背板或玻璃，吸收地面反射光和散射光。
- 单晶硅
生长成单一连续晶体的硅，通常采用直拉法，效率最高，现已成为光伏的主流硅片类型。
- 温度系数
电池温度偏离 25 °C 每一摄氏度时，光伏组件功率、电压或电流变化的百分比。