TOPCon (टनल ऑक्साइड पैसिवेटेड कॉन्टैक्ट)
टनल ऑक्साइड पैसिवेटेड कॉन्टैक्ट: n-टाइप सिलिकॉन सेल जिसके पिछले हिस्से में बेहद पतली ऑक्साइड और डोप्ड पॉलीसिलिकॉन की परत होती है, जो न्यूनतम रीकॉम्बिनेशन के साथ करंट निकालती है।
TOPCon को Fraunhofer ISE ने 2013 में पेश किया था। n-टाइप वेफ़र की पिछली सतह पर करीब 1.5 nm मोटी सिलिकॉन डाइऑक्साइड परत होती है, जो इतनी पतली है कि चार्ज कैरियर उसके आर-पार टनल कर सकें, और उसके ऊपर भारी डोपिंग वाला पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन। यह पैसिवेटिंग कॉन्टैक्ट मेजॉरिटी कैरियर को जाने देता है और माइनॉरिटी कैरियर को रोकता है, जिससे धातु के कॉन्टैक्ट पर होने वाला वह रीकॉम्बिनेशन घटता है जो PERC की सीमा तय करता है।
चूँकि यह प्रक्रिया PERC लाइनों का अपग्रेड है (इसमें LPCVD या PECVD डिपॉज़िशन और बोरॉन डिफ़्यूज़न जुड़ते हैं), निर्माता अपनी क्षमता जल्दी बदल पाए। 2024 में TOPCon बहुमत वाली सेल तकनीक बन गई (ITRPV 2025 संस्करण), जिसमें बड़ा हाथ चीनी उत्पादकों का रहा।
- बड़े पैमाने पर बने सेल की दक्षता: करीब 24.5–26%; मॉड्यूल 22–23.5%।
- बाइफ़ेशियलिटी: 75–85%, जो बाइफ़ेशियल ग्राउंड-माउंट प्लांट के लिए बढ़िया है।
- तापमान गुणांक: करीब −0.29 से −0.32 %/°C।
- n-टाइप वेफ़र में बोरॉन-ऑक्सीजन वाला लाइट-इंड्यूस्ड डिग्रेडेशन नहीं होता; पहले साल का नुकसान आमतौर पर करीब 1%।
खुले सवालों में PERC से ज़्यादा चाँदी की खपत और डैम्प-हीट टेस्ट में कुछ मॉड्यूल डिज़ाइनों में नमी से कॉन्टैक्ट पर जंग लगने की संवेदनशीलता शामिल है। n-टाइप सेगमेंट में इसके प्रतिद्वंद्वी हेटेरोजंक्शन और बैक-कॉन्टैक्ट सेल हैं।
संबंधित शब्द
सभी शब्द →- PERC सेल (Passivated Emitter and Rear Cell)
सिलिकॉन सेल का एक डिज़ाइन जो पिछली सतह पर पैसिवेटिंग डाइइलेक्ट्रिक परत जोड़ता है, जिससे रीकॉम्बिनेशन घटता है और रोशनी वापस सेल में परावर्तित होती है।
- हेटेरोजंक्शन (HJT) सोलर सेल
ऐसा सेल जिसमें n-टाइप क्रिस्टलीय सिलिकॉन वेफर को बेहद पतली अमॉर्फस सिलिकॉन परतों के बीच रखा जाता है। इससे वोल्टेज बहुत ऊंचा और तापमान गुणांक कम रहता है।
- बाइफेशियल मॉड्यूल
ऐसा PV मॉड्यूल जो आगे और पीछे दोनों तरफ़ से रोशनी पकड़ता है; पारदर्शी बैकशीट या काँच की मदद से यह ज़मीन से परावर्तित और बिखरी (डिफ़्यूज़) रोशनी भी इस्तेमाल करता है।
- मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन (Monocrystalline silicon)
एक ही लगातार क्रिस्टल के रूप में उगाया गया सिलिकॉन, आमतौर पर Czochralski विधि से। PV में सबसे ज्यादा दक्षता वाला और अब सबसे प्रचलित वेफर यही है।
- तापमान गुणांक (टेम्परेचर कोएफ़िशिएंट)
सेल का तापमान 25 °C से हर डिग्री सेल्सियस ऊपर-नीचे होने पर PV मॉड्यूल की पावर, वोल्टेज या करंट में होने वाला प्रतिशत बदलाव।