单晶硅

单晶硅片切自圆柱形硅锭，硅锭用直拉法（Czochralski 法）从熔融多晶硅中拉制而成。晶格连续，没有晶界去俘获载流子，所以载流子寿命长，电池效率高。单晶电池颜色均匀偏深；早期方形切割的硅片还带倒角，一眼就能认出来。

随着金刚线切割和更大的单晶炉压低了成本，单晶硅片在 2019 年前后超过了多晶。到 2023 年，单晶占全球硅片产量的 95% 以上（ITRPV，2024）。行业也从掺硼的 p 型硅片转向掺磷的 n 型硅片：n 型没有硼氧光致衰减问题，更适合 TOPCon 和异质结电池结构。

• 商用组件典型效率：21–23.5%（2024–2025）。
• 硅片厚度：约 130–150 µm，十年前超过 180 µm。
• 能耗大户：多晶硅提纯和拉晶，这是影响能量回收期的主要因素。

效率更高，每 kWp 需要的组件、支架和土地就更少，系统平衡部件（BOS）成本也随之下降。